近日，中國科學(xué)院微電子所微電子設(shè)備技術(shù)究室夏洋研究員、劉邦武、劉金虎等科研人員組成的研發(fā)團隊聯(lián)合嘉興中科院微電子儀器與設(shè)備工程中心在黑硅太陽能電池研究上再獲進展。繼2012年11月多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率達到17.88%后，再度取得進展，突破18.3%。

該團隊利用自行研制的等離子體浸沒離子注入設(shè)備，制備了納米表面結(jié)構(gòu)的黑硅材料。黑硅的納米結(jié)構(gòu)具有良好的吸光性能，也可以提高電池的填充因子與短路電流，從而大幅度提高電池的轉(zhuǎn)換效率。該技術(shù)簡單可控，可以減少部分化學(xué)液體的使用，與現(xiàn)有的硅電池生產(chǎn)線工藝完全兼容，有望在新一輪的光伏產(chǎn)業(yè)重組中占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢，為我國光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出貢獻。據(jù)悉，該研究項目得到了國家自然基金委、中國科學(xué)院的項目資助。

據(jù)了解，此前2012年12月，美國能源部國家可再生能源實驗室(NREL)科學(xué)家宣布采用采用納米技術(shù)生產(chǎn)的“黑硅”太陽能電池效率達到18.2%。NREL據(jù)稱這是該技術(shù)的巨大突破，為降低太陽能成本邁進了一大步。